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Dettagli del prodotto

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Descrizione: JFET P-CH 30V TO18

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
pacchetto:
Altri prodotti
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 15 V
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
4 V @ 1 nA
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-18
Confezione / Cassa:
TO-206AA, metallo TO-18-3 può
Potenza - Max:
500 mW
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
27pF @ 15V
Resistenza - RDS (sopra):
175 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Numero del prodotto di base:
2N5116
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
pacchetto:
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Serie:
Militare, MIL-PRF-19500
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 15 V
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Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
4 V @ 1 nA
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-18
Confezione / Cassa:
TO-206AA, metallo TO-18-3 può
Potenza - Max:
500 mW
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
27pF @ 15V
Resistenza - RDS (sopra):
175 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Numero del prodotto di base:
2N5116
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
MX2N5116
JFET P-Channel 30 V 500 mW attraverso foro TO-18

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

transistor del triodo del diodo di 200V 50A

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