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Descrizione: JFET P-CH 30V SOT23-3

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 mA @ 15 V
Mfr:
semi
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
800 mV @ 10 nA
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3 (TO-236)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
11pF @ 10V (VGS)
Potenza - Max:
225 mW
Resistenza - RDS (sopra):
300 Ohm
Numero del prodotto di base:
MMBFJ177
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 mA @ 15 V
Mfr:
semi
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
800 mV @ 10 nA
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3 (TO-236)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
11pF @ 10V (VGS)
Potenza - Max:
225 mW
Resistenza - RDS (sopra):
300 Ohm
Numero del prodotto di base:
MMBFJ177
MMBFJ177LT1G
P-Manica di JFET 30 V un supporto di superficie SOT-23-3 (TO-236) da 225 Mw

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

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