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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

2N2609

Dettagli del prodotto

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Descrizione: JFET P-CH 30V 10MA TO18

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
pacchetto:
Borsa
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 5 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-18 (TO-206AA)
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
750 mV @ 1 A
Scolo corrente (identificazione) - massima:
10 mA
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 5V
Potenza - Max:
300 mW
Confezione / Cassa:
TO-206AA, metallo TO-18-3 può
Numero del prodotto di base:
2N2609
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
pacchetto:
Borsa
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 5 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-18 (TO-206AA)
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
750 mV @ 1 A
Scolo corrente (identificazione) - massima:
10 mA
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 5V
Potenza - Max:
300 mW
Confezione / Cassa:
TO-206AA, metallo TO-18-3 può
Numero del prodotto di base:
2N2609
2N2609
JFET P-Channel 30 V 10 mA 300 mW attraverso foro TO-18 (TO-206AA)