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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

BSV79

Dettagli del prodotto

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Descrizione: JFET N-CH TO18

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
pacchetto:
Altri prodotti
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
Central Semiconductor Corp.
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
2 V @ 1 nA
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-18
Confezione / Cassa:
TO-206AA, metallo TO-18-3 può
Potenza - Max:
350 Mw
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V
Resistenza - RDS (sopra):
40 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 175°C (TJ)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
pacchetto:
Altri prodotti
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
Central Semiconductor Corp.
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
2 V @ 1 nA
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-18
Confezione / Cassa:
TO-206AA, metallo TO-18-3 può
Potenza - Max:
350 Mw
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V
Resistenza - RDS (sopra):
40 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 175°C (TJ)
BSV79
JFET N-Channel 350 mW attraverso foro TO-18