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Descrizione: JFET P-CH 30V TO18

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
stato del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Resistenza - RDS (sopra):
150 Ohm
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-18
Potenza - Max:
500 mW
Mfr:
Stato Solido Inc.
Temperatura di funzionamento:
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 15V
Confezione / Cassa:
TO-206AA, metallo TO-18-3 può
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Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
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Tipo di montaggio:
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-
Resistenza - RDS (sopra):
150 Ohm
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Potenza - Max:
500 mW
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 15V
Confezione / Cassa:
TO-206AA, metallo TO-18-3 può
2N5116
JFET P-Channel 30 V 500 mW attraverso foro TO-18

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

transistor del triodo del diodo di 200V 50A

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