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Descrizione: JFET N-CH SOT23-3

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 10 V
Mfr:
ONSEMI
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
2.5 V @ 0,5 nA
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3 (TO-236)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V
Potenza - Max:
225 mW
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
25 V
Numero del prodotto di base:
BFR31
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 10 V
Mfr:
ONSEMI
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
2.5 V @ 0,5 nA
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3 (TO-236)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V
Potenza - Max:
225 mW
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
25 V
Numero del prodotto di base:
BFR31
BFR31LT1
JFET N-Channel 225 mW Superficie montata SOT-23-3 (TO-236)

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

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