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Casa > prodotti > Transistor del triodo del diodo > 2N5639_D26Z
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Descrizione: JFET N-CH 30V TO92-3

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 20 V
Mfr:
ONSEMI
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-92-3
Confezione / Cassa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ha formato i cavi
Potenza - Max:
350 Mw
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 12V (VGS)
Resistenza - RDS (sopra):
60 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Numero del prodotto di base:
2N5639
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
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Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 20 V
Mfr:
ONSEMI
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-92-3
Confezione / Cassa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ha formato i cavi
Potenza - Max:
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 12V (VGS)
Resistenza - RDS (sopra):
60 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Numero del prodotto di base:
2N5639
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
2N5639_D26Z
JFET canale N 30 V 350 mW attraverso foro TO-92-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

transistor del triodo del diodo di 200V 50A

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