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Descrizione: JFET N-CH 40V SOT23

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
40 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
10 V @ 1 μA
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23 (TO-236AB)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Potenza - Max:
300 mW
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
6pF @ 10V (VGS)
Resistenza - RDS (sopra):
30 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Numero del prodotto di base:
PMBFJ1
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
40 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
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Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23 (TO-236AB)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Potenza - Max:
300 mW
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
6pF @ 10V (VGS)
Resistenza - RDS (sopra):
30 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Numero del prodotto di base:
PMBFJ1
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
PMBFJ111,215
JFET N-Channel 40 V 300 mW Superficie montata SOT-23 (TO-236AB)

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

transistor del triodo del diodo di 200V 50A

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