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Descrizione: JFET N-CH 10MA SOT23

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Descrizione di prodotto
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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 10 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
2.5 V @ 0,5 nA
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23 (TO-236AB)
Scolo corrente (identificazione) - massima:
10 mA
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
4pF @ 10V
Potenza - Max:
250 mW
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
25 V
Numero del prodotto di base:
BFR31
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 10 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
2.5 V @ 0,5 nA
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23 (TO-236AB)
Scolo corrente (identificazione) - massima:
10 mA
Temperatura di funzionamento:
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
4pF @ 10V
Potenza - Max:
250 mW
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
25 V
Numero del prodotto di base:
BFR31
31.235 BFR
JFET Canale N 10 mA 250 mW Montaggio superficiale SOT-23 (TO-236AB)

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

transistor del triodo del diodo di 200V 50A

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