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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: JFET P-CH 30V TO18

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
stato del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 5 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-18 (TO-206AA)
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
750 mV @ 1 μA
Potenza - Max:
300 mW
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 5V
Confezione / Cassa:
TO-206AA, metallo TO-18-3 può
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
stato del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 5 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
750 mV @ 1 μA
Potenza - Max:
300 mW
Mfr:
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Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 5V
Confezione / Cassa:
TO-206AA, metallo TO-18-3 può
2N2608
JFET P-Channel 30 V 300 mW attraverso foro TO-18 (TO-206AA)

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

transistor del triodo del diodo di 200V 50A

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