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Tempo di consegna: |
In magazzino |
Tipo di prodotto: |
Memoria flash IC |
Numero della parte: |
GD25Q512TIGR |
Codice di data: |
ROHS più recente |
MOQ: |
1pc |
Servizio: |
Fornire un servizio BOM completo |
Ottenere foglio dati: |
Contattici prego |
Spedizione da:: |
DHL/UPS/FEDEX/EMS/EUB |
Tipo: |
circuito integrato |
Descrizione: |
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Voltaggio - Rottura: |
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Frequenza - Cambiamento: |
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Potenza (Watt): |
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Temperatura di funzionamento: |
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Tipo di montaggio: |
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Tensione - Alimentazione (Min): |
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Tensione - rifornimento (massimo): |
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Tensione - uscita: |
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Corrente - uscita/Manica: |
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Frequenza: |
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Applicazioni: |
Scopo generale |
Tipo di FET: |
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Corrente - uscita (massima): |
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Corrente - Fornitura: |
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Voltaggio - Fornitura: |
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Frequenza - Max: |
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Potenza - Max: |
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Tolleranza: |
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Funzione: |
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Fornitura di tensione - interna: |
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Frequenza - taglio o centro: |
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Corrente - perdita (È (fuori)) (Massimo): |
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Potere isolato: |
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Tensione - isolamento: |
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Corrente: alta e bassa uscita: |
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Corrente - uscita di punta: |
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Tensione - di andata (Vf) (tipo): |
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Corrente - CC di andata (se) (massimo): |
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Tipo di input: |
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Tipo di uscita: |
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Rapporto di trasferimento corrente (min): |
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Rapporto di trasferimento corrente (massimo): |
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Voltaggio - uscita (massimo): |
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Voltaggio - stato disattivato: |
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DV/dt statico (min): |
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Corrente - innesco del LED (Ift) (massimo): |
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Corrente - sullo stato ((RMS)) (Massimo): |
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Impedenza: |
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Impedenza - Sbalansata/Sbalansata: |
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Frequenza di LO: |
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Frequenza RF: |
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Gamma introdotta: |
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Potenza di uscita: |
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Banda di frequenza (basso/livello): |
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Specificità: |
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Dimensione: |
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Modulazione o protocollo: |
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Interfaccia: |
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Potenza - Output: |
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Dimensione della memoria: |
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Protocollo: |
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Modulazione: |
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Interfacce seriali: |
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GPIO: |
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IC utilizzato/parte: |
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Norme: |
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Stile: |
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Tipo di memoria: |
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Memoria scrivibila: |
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Resistenza (Ohm): |
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Riferimenti incrociati: |
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Port: |
Shenzhen/HK |
Circuiti integrati IC Componente Parte Programmatore Memoria flash universale IC Chip 25Q512 GD25Q512TIGR
