Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Guangdong, Cina
Marca: original
Numero di modello: MBRS540T3G
Termini di trasporto & di pagamento
Quantità di ordine minimo: 10 pezzi
Prezzo: $1.00/pieces >=10 pieces
Imballaggi particolari: Imballaggio antistatico
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi a settimana
Tipo: |
altri, transistor a giunzione bipolare, transistor IGBT |
Temperatura di funzionamento: |
- |
Serie: |
standard |
Tipo di montaggio: |
Montaggio superficiale |
Descrizione: |
/ |
D/C: |
22+ |
Tipo di pacchetto: |
Montaggio superficiale |
Applicazione: |
Diodo di scottky |
Tipo di fornitore: |
altri |
Riferimenti incrociati: |
standard |
Media disponibili: |
altri |
Marchio: |
Diodo Schottky 40V 5A |
Corrente - collettore (CI) (massimo): |
- |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): |
- |
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: |
- |
Corrente - taglio del collettore (massimo): |
- |
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce: |
- |
Potenza - Max: |
- |
Frequenza - transizione: |
- |
Confezione / Cassa: |
/ |
Resistenza - base (R1): |
/ |
Resistenza - emittenta-base (R2): |
/ |
Tipo di FET: |
/ |
Caratteristica del FET: |
standard |
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): |
/ |
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: |
/ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
/ |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
/ |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: |
/ |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: |
/ |
Frequenza: |
/ |
Corrente nominale (ampere): |
/ |
Figura del rumore: |
/ |
Potenza - Output: |
/ |
Voltaggio nominale: |
/ |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
/ |
Vgs (Max): |
/ |
Tipo di IGBT: |
/ |
Configurazione: |
standard |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: |
/ |
Capacità introdotta (Cies) @ Vce: |
/ |
Input: |
/ |
Termistor NTC: |
// |
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
/ |
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Scolo corrente (identificazione) - massima: |
/ |
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
/ |
Resistenza - RDS (sopra): |
/ |
Voltaggio: |
/ |
Tensione - uscita: |
/ |
Tensione - contrappeso (VT): |
/ |
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
/ |
Corrente - valle (iv): |
/ |
Corrente - picco: |
/ |
Applicazioni: |
/ |
Tipo di transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Port: |
Shenzhen |
Tipo: |
altri, transistor a giunzione bipolare, transistor IGBT |
Temperatura di funzionamento: |
- |
Serie: |
standard |
Tipo di montaggio: |
Montaggio superficiale |
Descrizione: |
/ |
D/C: |
22+ |
Tipo di pacchetto: |
Montaggio superficiale |
Applicazione: |
Diodo di scottky |
Tipo di fornitore: |
altri |
Riferimenti incrociati: |
standard |
Media disponibili: |
altri |
Marchio: |
Diodo Schottky 40V 5A |
Corrente - collettore (CI) (massimo): |
- |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): |
- |
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: |
- |
Corrente - taglio del collettore (massimo): |
- |
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce: |
- |
Potenza - Max: |
- |
Frequenza - transizione: |
- |
Confezione / Cassa: |
/ |
Resistenza - base (R1): |
/ |
Resistenza - emittenta-base (R2): |
/ |
Tipo di FET: |
/ |
Caratteristica del FET: |
standard |
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): |
/ |
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: |
/ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
/ |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
/ |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: |
/ |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: |
/ |
Frequenza: |
/ |
Corrente nominale (ampere): |
/ |
Figura del rumore: |
/ |
Potenza - Output: |
/ |
Voltaggio nominale: |
/ |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
/ |
Vgs (Max): |
/ |
Tipo di IGBT: |
/ |
Configurazione: |
standard |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: |
/ |
Capacità introdotta (Cies) @ Vce: |
/ |
Input: |
/ |
Termistor NTC: |
// |
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
/ |
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Scolo corrente (identificazione) - massima: |
/ |
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
/ |
Resistenza - RDS (sopra): |
/ |
Voltaggio: |
/ |
Tensione - uscita: |
/ |
Tensione - contrappeso (VT): |
/ |
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
/ |
Corrente - valle (iv): |
/ |
Corrente - picco: |
/ |
Applicazioni: |
/ |
Tipo di transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Port: |
Shenzhen |
Il tipo di chip che abbiamo. | ||||||
Circuiti integrati componenti elettronici | IC di confronto | Codificatore-decodificatore | Interfacce touch | |||
IC di riferimento di tensione | Amplificatore | Ripristinare l' IC del rilevatore | IC amplificatore di potenza | |||
IC di elaborazione a infrarossi | Interfaccia Chip | Chip Bluetooth | Boost e Buck Chips | |||
Schede di base temporale | Chip di comunicazione dell'orologio | IC del ricevitore | IC RF senza fili | |||
Resistenza a chip | Chip di memorizzazione 2 | Chip Ethernet | Circuiti integrati componenti elettronici |