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MOS Transistor IRG71C28U IRG71C28UPBF IRG7IC28U IRG7IC28UPBF Potenza MOSFET IC IRG71C28U

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: Guangdong, Cina

Marca: original

Numero di modello: IRG71C28U

Termini di trasporto & di pagamento

Quantità di ordine minimo: 10 pezzi

Prezzo: $0.80/pieces 10-99 pieces

Imballaggi particolari: Imballaggio antistatico

Capacità di alimentazione: 1000 pezzo/pezzi per Settimana

Ottenga il migliore prezzo
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Tipo:
trasistor, transistor a pentodo, transistor IGBT
Temperatura di funzionamento:
Nazionale
Serie:
Norme
Tipo di montaggio:
Norme
Descrizione:
Nazionale
D/C:
Più recente
Tipo di pacchetto:
In tutto il foro
Applicazione:
IC MOSFET di potenza
Tipo di fornitore:
Rivenditore
Riferimenti incrociati:
Nazionale
Media disponibili:
altri
Marca:
Nazionale
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
Nazionale
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
Nazionale
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
Nazionale
Corrente - taglio del collettore (massimo):
Na
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
Nazionale
Potenza - Max:
Na
Frequenza - Transizione:
Nazionale
Confezione / Cassa:
Nazionale
Resistenza - Base (R1):
Nazionale
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
Nazionale
Tipo di FET:
Nazionale
Caratteristica del FET:
Norme
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
Nazionale
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
Na
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Na
Vgs(th) (Max) @ Id:
Nazionale
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:
Na
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:
Na
Frequenza:
Nazionale
Corrente nominale (ampere):
Nazionale
Figura del rumore:
Nazionale
Potenza - Output:
Nazionale
Voltaggio nominale:
Na
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):
Nazionale
Vgs (Max):
Nazionale
Tipo IGBT:
Nazionale
Configurazione:
Norme
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
Na
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
Nazionale
Input:
Nazionale
Termistor NTC:
Na
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
Nazionale
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Nazionale
Scolo corrente (identificazione) - massima:
Nazionale
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
Nazionale
Resistenza - RDS (sopra):
Na
Voltaggio:
Nazionale
Tensione - uscita:
Na
Tensione - contrappeso (VT):
Nazionale
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao):
Nazionale
Corrente - valle (iv):
Nazionale
Corrente - picco:
Nazionale
Applicazioni:
Nazionale
Tipo di transistor:
transistor di potenza mrf150 rf
Statuto:
in magazzino
Garanzia:
90days
Codice di data:
2021+
Port:
Shenzhen
Tipo:
trasistor, transistor a pentodo, transistor IGBT
Temperatura di funzionamento:
Nazionale
Serie:
Norme
Tipo di montaggio:
Norme
Descrizione:
Nazionale
D/C:
Più recente
Tipo di pacchetto:
In tutto il foro
Applicazione:
IC MOSFET di potenza
Tipo di fornitore:
Rivenditore
Riferimenti incrociati:
Nazionale
Media disponibili:
altri
Marca:
Nazionale
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
Nazionale
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
Nazionale
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
Nazionale
Corrente - taglio del collettore (massimo):
Na
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
Nazionale
Potenza - Max:
Na
Frequenza - Transizione:
Nazionale
Confezione / Cassa:
Nazionale
Resistenza - Base (R1):
Nazionale
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
Nazionale
Tipo di FET:
Nazionale
Caratteristica del FET:
Norme
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
Nazionale
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
Na
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Na
Vgs(th) (Max) @ Id:
Nazionale
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:
Na
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:
Na
Frequenza:
Nazionale
Corrente nominale (ampere):
Nazionale
Figura del rumore:
Nazionale
Potenza - Output:
Nazionale
Voltaggio nominale:
Na
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):
Nazionale
Vgs (Max):
Nazionale
Tipo IGBT:
Nazionale
Configurazione:
Norme
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
Na
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
Nazionale
Input:
Nazionale
Termistor NTC:
Na
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
Nazionale
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Nazionale
Scolo corrente (identificazione) - massima:
Nazionale
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
Nazionale
Resistenza - RDS (sopra):
Na
Voltaggio:
Nazionale
Tensione - uscita:
Na
Tensione - contrappeso (VT):
Nazionale
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao):
Nazionale
Corrente - valle (iv):
Nazionale
Corrente - picco:
Nazionale
Applicazioni:
Nazionale
Tipo di transistor:
transistor di potenza mrf150 rf
Statuto:
in magazzino
Garanzia:
90days
Codice di data:
2021+
Port:
Shenzhen
MOS Transistor IRG71C28U IRG71C28UPBF IRG7IC28U IRG7IC28UPBF Potenza MOSFET IC IRG71C28U

Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Benvenuti nella nostra azienda! Siamo la tua fonte completa di componenti elettronici (BOM). La nostra competenza risiede nell'offrire una vasta gamma di componenti elettronici per soddisfare le tue diverse esigenze. Offriamo: - Semiconduttori: microcontrollori, transistor, diodi, circuiti integrati (CI) - Componenti passivi: resistori, condensatori, induttori, connettori - Componenti elettromeccanici: interruttori, relè, attuatori di sensori - Alimentatori: regolatori di tensione, convertitori di potenza, gestione della batteria - Optoelettronica: LED, laser, fotodiodi, sensori ottici - Componenti RF e wireless: moduli RF, antenne, comunicazione wireless - Sensori: sensori di temperatura, sensori di movimento, sensori ambientali.
MOS Transistor IRG71C28U IRG71C28UPBF IRG7IC28U IRG7IC28UPBF Potenza MOSFET IC IRG71C28U 0

Tipo: Circuiti integrati Componenti elettronici
DC:22+
MOQ:1pc
Pacchetto: Standard
La gamma di chip funzionali è ampia e copre molte aree applicative diverse, come comunicazioni, elaborazione delle immagini, controllo dei sensori, elaborazione audio, gestione dell'energia e altro.
Tipi di chip che abbiamo



Circuiti integrati Componenti elettronici
CI comparatori
Encoder-Decoder
CI touch
CI di riferimento di tensione
Amplificatore
CI rilevatore di reset
CI amplificatore di potenza
CI di elaborazione a infrarossi
Chip di interfaccia
Chip Bluetooth
Chip Boost e Buck
Chip base di tempo
Chip di comunicazione clock
CI ricetrasmettitore
CI RF wireless
Resistore chip
Chip di memoria 2
Chip Ethernet
Circuiti integrati Componenti elettronici
MOS Transistor IRG71C28U IRG71C28UPBF IRG7IC28U IRG7IC28UPBF Potenza MOSFET IC IRG71C28U 1
MOS Transistor IRG71C28U IRG71C28UPBF IRG7IC28U IRG7IC28UPBF Potenza MOSFET IC IRG71C28U 2
MOS Transistor IRG71C28U IRG71C28UPBF IRG7IC28U IRG7IC28UPBF Potenza MOSFET IC IRG71C28U 3
MOS Transistor IRG71C28U IRG71C28UPBF IRG7IC28U IRG7IC28UPBF Potenza MOSFET IC IRG71C28U 4
MOS Transistor IRG71C28U IRG71C28UPBF IRG7IC28U IRG7IC28UPBF Potenza MOSFET IC IRG71C28U 5