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Transistor di potenza RF a microonde HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: Giappone

Marca: original

Numero di modello: Codici di controllo

Termini di trasporto & di pagamento

Prezzo: $20.00/pieces >=1 pieces

Imballaggi particolari: Transistor di potenza RF a microonde HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100

Capacità di alimentazione: 10000 pezzo/pezzi per Settimana

Ottenga il migliore prezzo
Evidenziare:
tipo:
Transistor a RF, transistor IGBT
Temperatura di funzionamento:
Norme
Serie:
Norme
Tipo di montaggio:
/, Supporto di superficie
Descrizione:
/
D/C:
Ultimo
Tipo di pacchetto:
Montaggio superficiale
Applicazione:
Ad alta frequenza
Tipo di fornitore:
Agenzia, rivenditore
Riferimento:
Norme
Media disponibili:
Scheda
Marchio:
Transistor di potenza RF
Corrente - collettore (CI) (massimo):
Norme
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
Norme
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI:
Norme
Corrente - limite del collettore (massimo):
Norme
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
Norme
Massimo elettrico:
Norme
Frequenza - transizione:
Norme
Confezione / Cassa:
Norme
Resistenza - base (R1):
Norme
Resistenza - emittenta-base (R2):
Norme
Tipo del FET:
Norme
Caratteristica del FET:
Diodo Schottky (isolato)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss):
Norme
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C:
Norme
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Norme
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @:
Norme
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:
Norme
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:
Norme
Frequenza:
Norme
Valutazione corrente (amp):
Norme
Figura di rumore:
Norme
Uscita elettrica:
Norme
Voltaggio nominale:
Norme
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):
Norme
Vgs (massimo):
Norme
Tipo di IGBT:
Norme
Configurazione:
mezzo ponte
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
Norme
Capacità introdotta (Cies) @ Vce:
Norme
Input:
Norme
Termistore di NTC:
Norme
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
Norme
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Norme
Scolo corrente (identificazione) - massima:
Norme
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
Norme
Resistenza - RDS (sopra):
Norme
Voltaggio:
Norme
Tensione - uscita:
Norme
Tensione - contrappeso (VT):
Norme
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao):
Norme
Corrente - valle (iv):
Norme
Corrente - picco:
Norme
Applicazioni:
PCB
Tipo del transistor:
transistor di potenza mrf150 rf
condizione:
originale e nuovo MRF6S21100
Port:
SZ
tipo:
Transistor a RF, transistor IGBT
Temperatura di funzionamento:
Norme
Serie:
Norme
Tipo di montaggio:
/, Supporto di superficie
Descrizione:
/
D/C:
Ultimo
Tipo di pacchetto:
Montaggio superficiale
Applicazione:
Ad alta frequenza
Tipo di fornitore:
Agenzia, rivenditore
Riferimento:
Norme
Media disponibili:
Scheda
Marchio:
Transistor di potenza RF
Corrente - collettore (CI) (massimo):
Norme
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
Norme
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI:
Norme
Corrente - limite del collettore (massimo):
Norme
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
Norme
Massimo elettrico:
Norme
Frequenza - transizione:
Norme
Confezione / Cassa:
Norme
Resistenza - base (R1):
Norme
Resistenza - emittenta-base (R2):
Norme
Tipo del FET:
Norme
Caratteristica del FET:
Diodo Schottky (isolato)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss):
Norme
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C:
Norme
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Norme
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @:
Norme
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:
Norme
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:
Norme
Frequenza:
Norme
Valutazione corrente (amp):
Norme
Figura di rumore:
Norme
Uscita elettrica:
Norme
Voltaggio nominale:
Norme
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):
Norme
Vgs (massimo):
Norme
Tipo di IGBT:
Norme
Configurazione:
mezzo ponte
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
Norme
Capacità introdotta (Cies) @ Vce:
Norme
Input:
Norme
Termistore di NTC:
Norme
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
Norme
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Norme
Scolo corrente (identificazione) - massima:
Norme
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
Norme
Resistenza - RDS (sopra):
Norme
Voltaggio:
Norme
Tensione - uscita:
Norme
Tensione - contrappeso (VT):
Norme
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao):
Norme
Corrente - valle (iv):
Norme
Corrente - picco:
Norme
Applicazioni:
PCB
Tipo del transistor:
transistor di potenza mrf150 rf
condizione:
originale e nuovo MRF6S21100
Port:
SZ
Transistor di potenza RF a microonde HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100

Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Benvenuti nella nostra azienda! Siamo la vostra fonte all-in-one per componenti elettronici. La nostra esperienza risiede nel fornire una vasta gamma di componenti elettronici per soddisfare le vostre diverse esigenze.Noi offriamo:- Semiconduttori: microcontrollori, transistor, diodi, circuiti integrati (CI) - Componenti passivi: resistori, condensatori, induttori, connettori - Componenti elettromeccanici: interruttori,Relai, attuatori di sensori - Forniture di alimentazione: regolatori di tensione, convertitori di potenza, gestione delle batterie - Optoelettronica: LED, laser, fotodiodi, sensori ottici - Componenti RF e wireless: moduli RF,Antenne, comunicazioni wireless - Sensori: sensori di temperatura, sensori di movimento, sensori ambientali.
Transistor di potenza RF a microonde HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100 0

Tipo: circuiti integrati componenti elettronici
DC22+
MOQ: 1pc
Confezione: Standard
La gamma di chip funzionali è ampia e copre molte aree di applicazione diverse, come comunicazioni, elaborazione di immagini, controllo dei sensori, elaborazione audio, gestione dell'energia e altro ancora.
Il tipo di chip che abbiamo.



Circuiti integrati componenti elettronici
IC di confronto
Codificatore-decodificatore
Interfacce touch
IC di riferimento di tensione
Amplificatore
Ripristinare l' IC del rilevatore
IC amplificatore di potenza
IC di elaborazione a infrarossi
Interfaccia Chip
Chip Bluetooth
Boost e Buck Chips
Schede di base temporale
Chip di comunicazione dell'orologio
IC del ricevitore
IC RF senza fili
Resistenza a chip
Chip di memorizzazione 2
Chip Ethernet
Circuiti integrati componenti elettronici
Transistor di potenza RF a microonde HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100 1
Transistor di potenza RF a microonde HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100 2
Transistor di potenza RF a microonde HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100 3
Transistor di potenza RF a microonde HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100 4
Transistor di potenza RF a microonde HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100 5