Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Guangdong, Cina
Marca: original
Numero di modello: MUR460
Termini di trasporto & di pagamento
Quantità di ordine minimo: 100 pezzi
Prezzo: $0.06/pieces 100-999 pieces
Imballaggi particolari: Imballaggio antistatico
Capacità di alimentazione: 10000 pezzo/pezzi per Settimana
tipo: |
JFET, transistor a triodo, transistor IGBT |
Serie: |
/ |
Tipo di montaggio: |
/ |
Descrizione: |
/ |
D/C: |
, |
Tipo di pacchetto: |
Montaggio superficiale |
Applicazione: |
Diodi - Rettificatori |
Tipo di fornitore: |
Altri |
Riferimento: |
Norme |
Media disponibili: |
Altri |
Marchio: |
/ |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): |
, |
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: |
, |
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce: |
, |
Resistenza - base (R1): |
, |
Resistenza - emittenta-base (R2): |
, |
Caratteristica del FET: |
/ |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss): |
, |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C: |
, |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: |
, |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: |
/ |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: |
, |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: |
, |
Frequenza: |
, |
Valutazione corrente (amp): |
, |
Figura di rumore: |
, |
Uscita elettrica: |
, |
Tensione - stimata: |
, |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
, |
Vgs (massimo): |
, |
Tipo di IGBT: |
, |
Configurazione: |
/ |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: |
, |
Capacità introdotta (Cies) @ Vce: |
, |
Input: |
, |
Termistore di NTC: |
, |
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
, |
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Scolo corrente (identificazione) - massima: |
, |
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
, |
Resistenza - RDS (sopra): |
, |
Voltaggio: |
, |
Tensione - uscita: |
, |
Tensione - contrappeso (VT): |
, |
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
, |
Corrente - valle (iv): |
, |
Corrente - picco: |
, |
Applicazioni: |
, |
Tipo del transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Port: |
Shenzhen |
tipo: |
JFET, transistor a triodo, transistor IGBT |
Serie: |
/ |
Tipo di montaggio: |
/ |
Descrizione: |
/ |
D/C: |
, |
Tipo di pacchetto: |
Montaggio superficiale |
Applicazione: |
Diodi - Rettificatori |
Tipo di fornitore: |
Altri |
Riferimento: |
Norme |
Media disponibili: |
Altri |
Marchio: |
/ |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): |
, |
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: |
, |
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce: |
, |
Resistenza - base (R1): |
, |
Resistenza - emittenta-base (R2): |
, |
Caratteristica del FET: |
/ |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss): |
, |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C: |
, |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: |
, |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: |
/ |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: |
, |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: |
, |
Frequenza: |
, |
Valutazione corrente (amp): |
, |
Figura di rumore: |
, |
Uscita elettrica: |
, |
Tensione - stimata: |
, |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
, |
Vgs (massimo): |
, |
Tipo di IGBT: |
, |
Configurazione: |
/ |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: |
, |
Capacità introdotta (Cies) @ Vce: |
, |
Input: |
, |
Termistore di NTC: |
, |
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
, |
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Scolo corrente (identificazione) - massima: |
, |
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
, |
Resistenza - RDS (sopra): |
, |
Voltaggio: |
, |
Tensione - uscita: |
, |
Tensione - contrappeso (VT): |
, |
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
, |
Corrente - valle (iv): |
, |
Corrente - picco: |
, |
Applicazioni: |
, |
Tipo del transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Port: |
Shenzhen |
Il tipo di chip che abbiamo. | ||||||
Circuiti integrati componenti elettronici | IC di confronto | Codificatore-decodificatore | Interfacce touch | |||
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