Evidenziare:
tipo: |
JFET, transistor ad effetto campo, transistor IGBT |
Serie: |
Norme |
Tipo di montaggio: |
Norme |
Descrizione: |
/ |
D/C: |
, |
Tipo di pacchetto: |
In tutto il foro |
Applicazione: |
Diodi rettificatori di recupero rapido |
Tipo di fornitore: |
Altri |
Riferimenti incrociati: |
Norme |
Media disponibili: |
Altri |
Marchio: |
, |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): |
, |
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: |
, |
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce: |
, |
Resistenza - base (R1): |
, |
Resistenza - emittenta-base (R2): |
, |
Caratteristica del FET: |
Norme |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss): |
, |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C: |
, |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: |
, |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
, |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: |
, |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: |
, |
Frequenza: |
, |
Valutazione corrente (amp): |
, |
Figura di rumore: |
, |
Uscita elettrica: |
, |
Tensione - stimata: |
, |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
, |
Vgs (massimo): |
, |
Tipo di IGBT: |
, |
Configurazione: |
Norme |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: |
, |
Capacità introdotta (Cies) @ Vce: |
, |
Input: |
, |
Termistore di NTC: |
, |
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
, |
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Scolo corrente (identificazione) - massima: |
, |
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
, |
Resistenza - RDS (sopra): |
, |
Voltaggio: |
, |
Tensione - uscita: |
, |
Tensione - contrappeso (VT): |
, |
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
, |
Corrente - valle (iv): |
, |
Corrente - picco: |
, |
Applicazioni: |
, |
Tipo di transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Port: |
Shenzhen |
1000V 1.1V @ 1A (DO-214AC) Diodi Rohs - Rettificatori di transistor GS1M a uso generale
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