Evidenziare:
tipo: |
altri, transistor a giunzione bipolare, transistor IGBT |
Temperatura di funzionamento: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Serie: |
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Tipo di montaggio: |
Montaggio superficiale |
Descrizione: |
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D/C: |
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Tipo di pacchetto: |
Montaggio superficiale |
Applicazione: |
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Tipo di fornitore: |
Altri |
Riferimento: |
Norme |
Media disponibili: |
Altri |
Marchio: |
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23 |
Corrente - collettore (CI) (massimo): |
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Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): |
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Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: |
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Corrente - taglio del collettore (massimo): |
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Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.: |
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Massimo elettrico: |
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Frequenza - transizione: |
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Confezione / Cassa: |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Resistenza - base (R1): |
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Resistenza - emittenta-base (R2): |
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Tipo del FET: |
N-Manica |
Caratteristica del FET: |
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Vuoti a tensione di fonte (Vdss): |
30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C: |
4A (tum) |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: |
55 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
1.4V @ 250UA |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: |
4.34nC @ 4,5V |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: |
390pF @ 15V |
Frequenza: |
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Valutazione corrente (amp): |
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Figura di rumore: |
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Uscita elettrica: |
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Tensione - stimata: |
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Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
2.5V, 10V |
Vgs (massimo): |
±12V |
Tipo di IGBT: |
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Configurazione: |
Na |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: |
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Capacità introdotta (Cies) @ Vce: |
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Input: |
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Termistore di NTC: |
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Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
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Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
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Scolo corrente (identificazione) - massima: |
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Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
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Resistenza - RDS (sopra): |
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Voltaggio: |
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Tensione - uscita: |
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Tensione - contrappeso (VT): |
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Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
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Corrente - valle (iv): |
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Corrente - picco: |
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Applicazioni: |
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Tipo del transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Port: |
Shenzhen |
SMD Transistor MOSFET N-Channel Sot-23 30V 4A AO3402A AO3402 For Bom List Quote
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