Evidenziare:
Tipo: |
altri, transistor a giunzione bipolare, transistor IGBT |
Temperatura di funzionamento: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Serie: |
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Tipo di montaggio: |
Montaggio superficiale |
Descrizione: |
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D/C: |
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Tipo di pacchetto: |
Montaggio superficiale |
Applicazione: |
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Tipo di fornitore: |
altri |
Riferimenti incrociati: |
Norme |
Media disponibili: |
altri |
Marca: |
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23 |
Corrente - Collettore (Ic) (Max): |
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Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): |
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Vce saturazione (max) @ Ib, Ic: |
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Corrente - limite del collettore (massimo): |
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Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.: |
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Potenza - Max: |
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Frequenza - Transizione: |
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Confezione / Cassa: |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Resistenza - Base (R1): |
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Resistenza - Base dell'emittente (R2): |
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Tipo di FET: |
Canale N |
Caratteristica del FET: |
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Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): |
30 V |
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: |
4A (tum) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
55 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
1.4V @ 250UA |
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: |
4.34nC @ 4,5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: |
390pF @ 15V |
Frequenza: |
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Corrente nominale (ampere): |
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Figura del rumore: |
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Uscita elettrica: |
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Voltaggio nominale: |
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Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
2.5V, 10V |
Vgs (Max): |
±12V |
Tipo IGBT: |
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Configurazione: |
Nazionale |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
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Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: |
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Input: |
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Termistor NTC: |
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Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
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Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
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Scolo corrente (identificazione) - massima: |
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Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
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Resistenza - RDS (sopra): |
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Voltaggio: |
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Voltaggio - uscita: |
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Tensione - contrappeso (VT): |
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Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
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Corrente - valle (iv): |
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Corrente - picco: |
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Applicazioni: |
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Tipo di transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Port: |
Shenzhen |
SMD Transistor MOSFET N-Channel Sot-23 30V 4A AO3402A AO3402 For Bom List Quote
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