Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Guangdong, Cina
Marca: original
Numero di modello: IRFP140N
Termini di trasporto & di pagamento
Quantità di ordine minimo: 10 pezzi
Prezzo: $1.00/pieces >=10 pieces
Imballaggi particolari: Imballaggio antistatico
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Tipo: |
altri, transistor IGBT |
Temperatura di funzionamento: |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Serie: |
7807 |
Tipo di montaggio: |
Attraverso il buco |
Descrizione: |
/ |
D/C: |
/ |
Tipo di pacchetto: |
/ |
Applicazione: |
/ |
Tipo di fornitore: |
altri |
Riferimenti incrociati: |
Norme |
Media disponibili: |
altri |
Marca: |
MOSFET N-CH 100V 33A a 247AC |
Corrente - Collettore (Ic) (Max): |
/ |
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): |
/ |
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic: |
Nazionale |
Corrente - limite del collettore (massimo): |
Nazionale |
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.: |
Nazionale |
Potenza - Max: |
Nazionale |
Frequenza - Transizione: |
Nazionale |
Confezione / Cassa: |
TO-247-3 |
Resistenza - Base (R1): |
Nazionale |
Resistenza - Base dell'emittente (R2): |
Nazionale |
Tipo di FET: |
Canale N |
Caratteristica del FET: |
Nazionale |
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): |
100 V |
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: |
33A (TC) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
52 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
4V @ 250UA |
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: |
94nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: |
1400 pF @ 25V |
Frequenza: |
Nazionale |
Corrente nominale (ampere): |
Nazionale |
Figura del rumore: |
Nazionale |
Potenza - Output: |
Nazionale |
Voltaggio nominale: |
Nazionale |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
10V |
Vgs (Max): |
± 20V |
Tipo IGBT: |
Nazionale |
Configurazione: |
Na |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
Nazionale |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: |
Nazionale |
Input: |
Nazionale |
Termistor NTC: |
Nazionale |
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
Nazionale |
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
Nazionale |
Scolo corrente (identificazione) - massima: |
Nazionale |
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
Nazionale |
Resistenza - RDS (sopra): |
Nazionale |
Voltaggio: |
Nazionale |
Voltaggio - uscita: |
Nazionale |
Tensione - contrappeso (VT): |
Nazionale |
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
Nazionale |
Corrente - valle (iv): |
Nazionale |
Corrente - picco: |
Nazionale |
Applicazioni: |
Nazionale |
Tipo di transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Port: |
Shenzhen |
Tipo: |
altri, transistor IGBT |
Temperatura di funzionamento: |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Serie: |
7807 |
Tipo di montaggio: |
Attraverso il buco |
Descrizione: |
/ |
D/C: |
/ |
Tipo di pacchetto: |
/ |
Applicazione: |
/ |
Tipo di fornitore: |
altri |
Riferimenti incrociati: |
Norme |
Media disponibili: |
altri |
Marca: |
MOSFET N-CH 100V 33A a 247AC |
Corrente - Collettore (Ic) (Max): |
/ |
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): |
/ |
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic: |
Nazionale |
Corrente - limite del collettore (massimo): |
Nazionale |
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.: |
Nazionale |
Potenza - Max: |
Nazionale |
Frequenza - Transizione: |
Nazionale |
Confezione / Cassa: |
TO-247-3 |
Resistenza - Base (R1): |
Nazionale |
Resistenza - Base dell'emittente (R2): |
Nazionale |
Tipo di FET: |
Canale N |
Caratteristica del FET: |
Nazionale |
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): |
100 V |
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: |
33A (TC) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
52 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
4V @ 250UA |
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: |
94nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: |
1400 pF @ 25V |
Frequenza: |
Nazionale |
Corrente nominale (ampere): |
Nazionale |
Figura del rumore: |
Nazionale |
Potenza - Output: |
Nazionale |
Voltaggio nominale: |
Nazionale |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
10V |
Vgs (Max): |
± 20V |
Tipo IGBT: |
Nazionale |
Configurazione: |
Na |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
Nazionale |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: |
Nazionale |
Input: |
Nazionale |
Termistor NTC: |
Nazionale |
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
Nazionale |
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
Nazionale |
Scolo corrente (identificazione) - massima: |
Nazionale |
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
Nazionale |
Resistenza - RDS (sopra): |
Nazionale |
Voltaggio: |
Nazionale |
Voltaggio - uscita: |
Nazionale |
Tensione - contrappeso (VT): |
Nazionale |
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
Nazionale |
Corrente - valle (iv): |
Nazionale |
Corrente - picco: |
Nazionale |
Applicazioni: |
Nazionale |
Tipo di transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Port: |
Shenzhen |
Il tipo di chip che abbiamo. | ||||||
Circuiti integrati componenti elettronici | IC di confronto | Codificatore-decodificatore | Interfacce touch | |||
IC di riferimento di tensione | Amplificatore | Ripristinare l' IC del rilevatore | IC amplificatore di potenza | |||
IC di elaborazione a infrarossi | Interfaccia Chip | Chip Bluetooth | Boost e Buck Chips | |||
Schede di base temporale | Chip di comunicazione dell'orologio | IC del ricevitore | IC RF senza fili | |||
Resistenza a chip | Chip di memorizzazione 2 | Chip Ethernet | Circuiti integrati componenti elettronici | |||