Evidenziare:
tipo: |
Transistor bipolare, transistor IGBT |
Temperatura di funzionamento: |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Serie: |
Norme |
Tipo di montaggio: |
Attraverso il buco |
Descrizione: |
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D/C: |
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Tipo di pacchetto: |
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Applicazione: |
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Tipo di fornitore: |
altri |
Riferimento: |
Norme |
Media disponibili: |
Altri |
Marchio: |
Trasmissione PNP 180V 2A TO220NIS |
Corrente - collettore (CI) (massimo): |
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Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): |
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Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: |
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Corrente - taglio del collettore (massimo): |
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Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce: |
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Massimo elettrico: |
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Frequenza - transizione: |
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Confezione / Cassa: |
TO-247-3 |
Resistenza - base (R1): |
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Resistenza - Base dell'emittente (R2): |
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Tipo del FET: |
N-Manica |
Caratteristica del FET: |
Norme |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss): |
100 V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C: |
33A (TC) |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: |
52 mOhm @ 16A, 10V |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: |
4V @ 250UA |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: |
94nC @ 10V |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: |
1400 pF @ 25V |
Frequenza: |
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Valutazione corrente (amp): |
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Figura del rumore: |
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Uscita elettrica: |
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Tensione - stimata: |
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Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
10V |
Vgs (massimo): |
±20V |
Tipo di IGBT: |
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Configurazione: |
Norme |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: |
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Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: |
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Input: |
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Termistore di NTC: |
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Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
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Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
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Scolo corrente (identificazione) - massima: |
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Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
/ |
Resistenza - RDS (sopra): |
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Voltaggio: |
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Tensione - uscita: |
/ |
Tensione - contrappeso (VT): |
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Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
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Corrente - valle (iv): |
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Corrente - picco: |
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Applicazioni: |
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Tipo del transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Port: |
Shenzhen |
Bipolare (BJT) Transistor PNP 180V 2A 200Mhz 2W 2SA1930 2SC5171 A1930 C5171 Transistor
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