Evidenziare:
Tipo: |
chip IC, transistor ad effetto campo, transistor IGBT |
Temperatura di funzionamento: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Serie: |
/ |
Tipo di montaggio: |
Attraverso il buco |
Descrizione: |
/ |
D/C: |
Più di 22 anni |
Tipo di pacchetto: |
In tutto il foro |
Applicazione: |
transistor irf |
Tipo di fornitore: |
altri |
Riferimenti incrociati: |
Nuovo |
Media disponibili: |
altri |
Marca: |
MOSFET P-CH 200V 11A a 220AB |
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): |
, |
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic: |
, |
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.: |
, |
Confezione / Cassa: |
TO-220-3 |
Resistenza - Base (R1): |
, |
Resistenza - Base dell'emittente (R2): |
, |
Tipo di FET: |
P-Manica |
Caratteristica del FET: |
Norme |
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): |
200 V |
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: |
11A (TC) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
500 mOhm @ 6,6A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
4V @ 250UA |
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: |
44nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: |
1200pF @ 25V |
Frequenza: |
, |
Corrente nominale (ampere): |
, |
Figura del rumore: |
, |
Potenza - Output: |
, |
Voltaggio nominale: |
, |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
10V |
Vgs (Max): |
± 20V |
Tipo IGBT: |
, |
Configurazione: |
/ |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
, |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: |
, |
Input: |
, |
Termistor NTC: |
, |
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
, |
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Scolo corrente (identificazione) - massima: |
, |
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
/ |
Resistenza - RDS (sopra): |
, |
Voltaggio: |
, |
Voltaggio - uscita: |
, |
Tensione - contrappeso (VT): |
, |
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
, |
Corrente - valle (iv): |
, |
Corrente - picco: |
, |
Applicazioni: |
, |
Tipo di transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Port: |
Shenzhen |
Nuovo e originale N-Channel Transistor 55V 75A IRF1405 Irf1405pbf
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