Evidenziare:
tipo: |
chip IC, transistor ad effetto campo, transistor IGBT |
Temperatura di funzionamento: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Serie: |
/ |
Tipo di montaggio: |
Attraverso il buco |
Descrizione: |
/ |
D/C: |
22+ |
Tipo di pacchetto: |
In tutto il foro |
Applicazione: |
transistor irf |
Tipo di fornitore: |
Altri |
Riferimento: |
Nuovo |
Media disponibili: |
Altri |
Marchio: |
MOSFET P-CH 200V 11A a 220AB |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): |
, |
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: |
, |
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce: |
, |
Confezione / Cassa: |
TO-220-3 |
Resistenza - base (R1): |
, |
Resistenza - emittenta-base (R2): |
, |
Tipo del FET: |
P-Manica |
Caratteristica del FET: |
Norme |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss): |
200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C: |
11A (TC) |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: |
500 mOhm @ 6,6A, 10V |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: |
4V @ 250UA |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: |
44nC @ 10V |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: |
1200pF @ 25V |
Frequenza: |
, |
Valutazione corrente (amp): |
, |
Figura di rumore: |
, |
Uscita elettrica: |
, |
Tensione - stimata: |
, |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
10V |
Vgs (massimo): |
±20V |
Tipo di IGBT: |
, |
Configurazione: |
/ |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: |
, |
Capacità introdotta (Cies) @ Vce: |
, |
Input: |
, |
Termistore di NTC: |
, |
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
, |
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Scolo corrente (identificazione) - massima: |
, |
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
/ |
Resistenza - RDS (sopra): |
, |
Voltaggio: |
, |
Tensione - uscita: |
, |
Tensione - contrappeso (VT): |
, |
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
, |
Corrente - valle (iv): |
, |
Corrente - picco: |
, |
Applicazioni: |
, |
Tipo del transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Port: |
Shenzhen |
Prezzo nuovo e originale TO-220 N-Channel 500V 8A TO-220AB IRF840PBF IRF840
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