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Nuovo e originale MOSFET N-Channel Transistor 100V 57A IRF3710PBF Irf3710

Name: Nuovo e originale MOSFET N-Channel Transistor 100V 57A IRF3710PBF Irf3710
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: IRF3710PBF
Price: 4.30 USD
Availability: InStock

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: Guangdong, Cina

Marca: original

Numero di modello: IRF3710PBF

Termini di trasporto & di pagamento

Quantità di ordine minimo: 10 pezzi

Prezzo: $0.30/pieces 10-99 pieces

Imballaggi particolari: Imballaggio antistatico

Capacità di alimentazione: 1000 pezzi a settimana

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto

Evidenziare:

Tipo:	chip IC, transistor ad effetto campo, transistor IGBT	Temperatura di funzionamento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie:	/	Tipo di montaggio:	Attraverso il buco
Descrizione:	/	D/C:	Più di 22 anni
Tipo di pacchetto:	In tutto il foro	Applicazione:	transistor irf
Tipo di fornitore:	altri	Riferimenti incrociati:	Nuovo
Media disponibili:	altri	Marca:	MOSFET N-CH 100V 57A a 220AB
Corrente - Collettore (Ic) (Max):	1.5A	Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):	400 V
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:	1.5V @ 500mA, 1.5A	Corrente - limite del collettore (massimo):	1mA
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:	5 @ 1A, 2V	Potenza - Max:	40 W
Frequenza - Transizione:	Norme	Confezione / Cassa:	TO-220-3
Resistenza - Base (R1):	/	Resistenza - Base dell'emittente (R2):	/
Tipo di FET:	Canale N	Caratteristica del FET:	Norme
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):	100 V	Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:	57A (TC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	23mOhm @ 28A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id:	/
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:	130nC @ 10V	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	3130pF @ 25V
Frequenza:	/	Corrente nominale (ampere):	/
Figura del rumore:	/	Potenza - Output:	/
Voltaggio nominale:	/	Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):	10V
Vgs (Max):	± 20V	Tipo IGBT:	/
Configurazione:	/	Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	/
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:	/	Input:	/
Termistor NTC:	/	Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):	/
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):	/	Scolo corrente (identificazione) - massima:	/
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:	/	Resistenza - RDS (sopra):	/
Voltaggio:	/	Voltaggio - uscita:	/
Tensione - contrappeso (VT):	/	Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao):	/
Corrente - valle (iv):	/	Corrente - picco:	/
Applicazioni:	/	Tipo del transistor:	transistor di potenza mrf150 rf
Port:	Shenzhen

Tipo:	chip IC, transistor ad effetto campo, transistor IGBT
Temperatura di funzionamento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie:	/
Tipo di montaggio:	Attraverso il buco
Descrizione:	/
D/C:	Più di 22 anni
Tipo di pacchetto:	In tutto il foro
Applicazione:	transistor irf
Tipo di fornitore:	altri
Riferimenti incrociati:	Nuovo
Media disponibili:	altri
Marca:	MOSFET N-CH 100V 57A a 220AB
Corrente - Collettore (Ic) (Max):	1.5A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):	400 V
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:	1.5V @ 500mA, 1.5A
Corrente - limite del collettore (massimo):	1mA
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:	5 @ 1A, 2V
Potenza - Max:	40 W
Frequenza - Transizione:	Norme
Confezione / Cassa:	TO-220-3
Resistenza - Base (R1):	/
Resistenza - Base dell'emittente (R2):	/
Tipo di FET:	Canale N
Caratteristica del FET:	Norme
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):	100 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:	57A (TC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	23mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:	/
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:	130nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	3130pF @ 25V
Frequenza:	/
Corrente nominale (ampere):	/
Figura del rumore:	/
Potenza - Output:	/
Voltaggio nominale:	/
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):	10V
Vgs (Max):	± 20V
Tipo IGBT:	/
Configurazione:	/
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	/
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:	/
Input:	/
Termistor NTC:	/
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):	/
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):	/
Scolo corrente (identificazione) - massima:	/
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:	/
Resistenza - RDS (sopra):	/
Voltaggio:	/
Voltaggio - uscita:	/
Tensione - contrappeso (VT):	/
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao):	/
Corrente - valle (iv):	/
Corrente - picco:	/
Applicazioni:	/
Tipo del transistor:	transistor di potenza mrf150 rf
Port:	Shenzhen

Nuovo e originale MOSFET N-Channel Transistor 100V 57A IRF3710PBF Irf3710

Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Benvenuti nella nostra azienda! Siamo la vostra fonte all-in-one per componenti elettronici. La nostra esperienza risiede nel fornire una vasta gamma di componenti elettronici per soddisfare le vostre diverse esigenze.Noi offriamo:- Semiconduttori: microcontrollori, transistor, diodi, circuiti integrati (CI) - Componenti passivi: resistori, condensatori, induttori, connettori - Componenti elettromeccanici: interruttori,Relai, attuatori di sensori - Forniture di alimentazione: regolatori di tensione, convertitori di potenza, gestione delle batterie - Optoelettronica: LED, laser, fotodiodi, sensori ottici - Componenti RF e wireless: moduli RF,Antenne, comunicazioni wireless - Sensori: sensori di temperatura, sensori di movimento, sensori ambientali.

Tipo: circuiti integrati componenti elettronici

DC22+

MOQ: 1pc

Confezione: Standard

La gamma di chip funzionali è ampia e copre molte aree di applicazione diverse, come comunicazioni, elaborazione di immagini, controllo dei sensori, elaborazione audio, gestione dell'energia e altro ancora.

Il tipo di chip che abbiamo.
Circuiti integrati componenti elettronici	IC di confronto	Codificatore-decodificatore	Interfacce touch
IC di riferimento di tensione	Amplificatore	Ripristinare l' IC del rilevatore	IC amplificatore di potenza
IC di elaborazione a infrarossi	Interfaccia Chip	Chip Bluetooth	Boost e Buck Chips
Schede di base temporale	Chip di comunicazione dell'orologio	IC del ricevitore	IC RF senza fili
Resistenza a chip	Chip di memorizzazione 2	Chip Ethernet	Circuiti integrati componenti elettronici

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