Evidenziare:
tipo: |
chip IC, transistor ad effetto campo, transistor IGBT |
Temperatura di funzionamento: |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Serie: |
/ |
Tipo di montaggio: |
Attraverso il buco |
Descrizione: |
/ |
D/C: |
22+ |
Tipo di pacchetto: |
In tutto il foro |
Applicazione: |
Norme |
Tipo di fornitore: |
Altri |
Riferimento: |
Nuovo |
Media disponibili: |
Altri |
Marchio: |
Trasferimento NPN 400V 1.5A SOT-32 |
Corrente - collettore (CI) (massimo): |
1.5A |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): |
400V |
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: |
1.5V @ 500mA, 1.5A |
Corrente - taglio del collettore (massimo): |
1mA |
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce: |
5 @ 1A, 2V |
Massimo elettrico: |
40W |
Frequenza - transizione: |
Norme |
Confezione / Cassa: |
TO-225AA, TO-126-3 |
Resistenza - base (R1): |
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Resistenza - emittenta-base (R2): |
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Tipo del FET: |
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Caratteristica del FET: |
Norme |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss): |
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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C: |
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RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: |
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Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: |
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Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: |
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Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: |
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Frequenza: |
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Valutazione corrente (amp): |
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Figura di rumore: |
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Uscita elettrica: |
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Tensione - stimata: |
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Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
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Vgs (massimo): |
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Tipo di IGBT: |
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Configurazione: |
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Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: |
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Capacità introdotta (Cies) @ Vce: |
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Input: |
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Termistore di NTC: |
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Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
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Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
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Scolo corrente (identificazione) - massima: |
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Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
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Resistenza - RDS (sopra): |
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Voltaggio: |
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Tensione - uscita: |
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Tensione - contrappeso (VT): |
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Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
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Corrente - valle (iv): |
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Corrente - picco: |
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Applicazioni: |
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Tipo del transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Port: |
Shenzhen |
Nuovi e originali transistor Mosfet N-Channel IRF2807PBF 75V 82A Irf2807
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