DC:22+
MOQ:1pc
Pacchetto: Standard
La gamma di chip funzionali è ampia e copre molte aree applicative diverse, come comunicazioni, elaborazione delle immagini, controllo dei sensori, elaborazione audio, gestione dell'energia e altro.
Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Guangdong, Cina
Marca: Original Brand
Numero di modello: IRF5210
Termini di trasporto & di pagamento
Prezzo: $3.00/pieces 1-99 pieces
Imballaggi particolari: pacchetto standar
Capacità di alimentazione: 13000 pezzi a settimana
tipo: |
TO-220, chip per la ricarica |
Temperatura di funzionamento: |
-55°C ~ 175°C (TJ), -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio: |
Attraverso il buco, attraverso il buco |
Descrizione: |
Transistori, nuovi in originale |
D/C: |
- |
Tipo di pacchetto: |
In tutto il foro |
Applicazione: |
Servizi elettronici |
Tipo di fornitore: |
Produttore originale, ODM, Agenzia, Rivenditore |
Riferimenti incrociati: |
- |
Media disponibili: |
foglio dati, foto |
Marca: |
MOSFET N-CH 55V 110A a 220AB |
Corrente - Collettore (Ic) (Max): |
- |
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): |
- |
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic: |
- |
Corrente - limite del collettore (massimo): |
- |
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.: |
- |
Potenza - Max: |
- |
Frequenza - Transizione: |
- |
Confezione / Cassa: |
TO-220-3, TO-220-3 |
Resistenza - Base (R1): |
- |
Resistenza - Base dell'emittente (R2): |
- |
Tipo di FET: |
Canale N |
Caratteristica del FET: |
- |
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): |
55V |
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: |
110A (TC) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
8mOhm @ 62A, 10V, 8mOhm @ 62A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
4V @ 250uA, 4V @ 250uA |
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: |
146nC @ 10V, 146nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: |
3247pF @ 25V, 3247pF @ 25V |
Frequenza: |
- |
Corrente nominale (ampere): |
- |
Figura del rumore: |
- |
Potenza - Output: |
- |
Voltaggio nominale: |
- |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
10V |
Vgs (Max): |
±20V, ±20V |
Tipo IGBT: |
- |
Configurazione: |
- |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
- |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: |
- |
Input: |
- |
Termistor NTC: |
- |
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
- |
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
- |
Scolo corrente (identificazione) - massima: |
- |
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
- |
Resistenza - RDS (sopra): |
- |
Voltaggio: |
- |
Voltaggio - uscita: |
- |
Tensione - contrappeso (VT): |
- |
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
- |
Corrente - valle (iv): |
- |
Corrente - picco: |
- |
Applicazioni: |
- |
Tipo di transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Nome del prodotto: |
IRF5210 |
Stato senza piombo: |
Senza piombo |
Status dei prodotti: |
in magazzino |
Prezzo unitario: |
Contattici prego! |
Via di spedizione: |
FedEx/UPS/DHL/TNT/EMS |
Port: |
Shenzhen |
tipo: |
TO-220, chip per la ricarica |
Temperatura di funzionamento: |
-55°C ~ 175°C (TJ), -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio: |
Attraverso il buco, attraverso il buco |
Descrizione: |
Transistori, nuovi in originale |
D/C: |
- |
Tipo di pacchetto: |
In tutto il foro |
Applicazione: |
Servizi elettronici |
Tipo di fornitore: |
Produttore originale, ODM, Agenzia, Rivenditore |
Riferimenti incrociati: |
- |
Media disponibili: |
foglio dati, foto |
Marca: |
MOSFET N-CH 55V 110A a 220AB |
Corrente - Collettore (Ic) (Max): |
- |
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): |
- |
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic: |
- |
Corrente - limite del collettore (massimo): |
- |
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.: |
- |
Potenza - Max: |
- |
Frequenza - Transizione: |
- |
Confezione / Cassa: |
TO-220-3, TO-220-3 |
Resistenza - Base (R1): |
- |
Resistenza - Base dell'emittente (R2): |
- |
Tipo di FET: |
Canale N |
Caratteristica del FET: |
- |
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): |
55V |
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: |
110A (TC) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
8mOhm @ 62A, 10V, 8mOhm @ 62A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
4V @ 250uA, 4V @ 250uA |
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: |
146nC @ 10V, 146nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: |
3247pF @ 25V, 3247pF @ 25V |
Frequenza: |
- |
Corrente nominale (ampere): |
- |
Figura del rumore: |
- |
Potenza - Output: |
- |
Voltaggio nominale: |
- |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
10V |
Vgs (Max): |
±20V, ±20V |
Tipo IGBT: |
- |
Configurazione: |
- |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
- |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: |
- |
Input: |
- |
Termistor NTC: |
- |
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
- |
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
- |
Scolo corrente (identificazione) - massima: |
- |
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
- |
Resistenza - RDS (sopra): |
- |
Voltaggio: |
- |
Voltaggio - uscita: |
- |
Tensione - contrappeso (VT): |
- |
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
- |
Corrente - valle (iv): |
- |
Corrente - picco: |
- |
Applicazioni: |
- |
Tipo di transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Nome del prodotto: |
IRF5210 |
Stato senza piombo: |
Senza piombo |
Status dei prodotti: |
in magazzino |
Prezzo unitario: |
Contattici prego! |
Via di spedizione: |
FedEx/UPS/DHL/TNT/EMS |
Port: |
Shenzhen |
Tipi di chip che abbiamo | ||||||
Circuiti integrati Componenti elettronici | CI comparatori | Encoder-Decoder | CI touch | |||
CI di riferimento di tensione | Amplificatore | CI rilevatore di reset | CI amplificatore di potenza | |||
CI di elaborazione a infrarossi | Chip di interfaccia | Chip Bluetooth | Chip Boost e Buck | |||
Chip base di tempo | Chip di comunicazione clock | CI ricetrasmettitore | CI RF wireless | |||
Resistore chip | Chip di memoria 2 | Chip Ethernet | Circuiti integrati Componenti elettronici | |||