Evidenziare:
tipo: |
Transistor IGBT, transistor triodo, chip IC |
Temperatura di funzionamento: |
-55°C ~ 175°C (TJ), Standrad |
Tipo di montaggio: |
Attraverso il buco |
Descrizione: |
posizione di segnale minimo |
D/C: |
In-azione |
Tipo di pacchetto: |
Pacchetto originale |
Applicazione: |
Prodotti elettronici standard |
Tipo di fornitore: |
Altri |
Riferimento: |
posizione di segnale minimo |
Media disponibili: |
Altri |
Marchio: |
MOSFET N-CH 100V 120A a 220AB |
Corrente - collettore (CI) (massimo): |
posizione di segnale minimo |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): |
posizione di segnale minimo |
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: |
posizione di segnale minimo |
Corrente - taglio del collettore (massimo): |
posizione di segnale minimo |
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce: |
posizione di segnale minimo |
Massimo elettrico: |
posizione di segnale minimo |
Frequenza - transizione: |
posizione di segnale minimo |
Confezione / Cassa: |
TO-220-3 |
Resistenza - base (R1): |
posizione di segnale minimo |
Resistenza - emittenta-base (R2): |
posizione di segnale minimo |
Tipo del FET: |
N-Manica |
Caratteristica del FET: |
posizione di segnale minimo |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss): |
100 V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C: |
120A (TC) |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: |
4.5mOhm @ 75A, 10V |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: |
4V @ 250A |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: |
210nC @ 10V |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: |
9620pF @ 50V |
Frequenza: |
posizione di segnale minimo |
Valutazione corrente (amp): |
posizione di segnale minimo |
Figura di rumore: |
posizione di segnale minimo |
Uscita elettrica: |
posizione di segnale minimo |
Tensione - stimata: |
posizione di segnale minimo |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
10V |
Vgs (massimo): |
±20V |
Tipo di IGBT: |
posizione di segnale minimo |
Configurazione: |
posizione di segnale minimo |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: |
posizione di segnale minimo |
Capacità introdotta (Cies) @ Vce: |
posizione di segnale minimo |
Input: |
posizione di segnale minimo |
Termistore di NTC: |
posizione di segnale minimo |
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
posizione di segnale minimo |
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
posizione di segnale minimo |
Scolo corrente (identificazione) - massima: |
posizione di segnale minimo |
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
posizione di segnale minimo |
Resistenza - RDS (sopra): |
posizione di segnale minimo |
Voltaggio: |
posizione di segnale minimo |
Tensione - uscita: |
posizione di segnale minimo |
Tensione - contrappeso (VT): |
posizione di segnale minimo |
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
posizione di segnale minimo |
Corrente - valle (iv): |
posizione di segnale minimo |
Corrente - picco: |
posizione di segnale minimo |
Applicazioni: |
posizione di segnale minimo |
Tipo del transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
condizione: |
Originale 100% |
Qualità: |
Di alta qualità |
ROHS: |
- Sì. |
Pagamento: |
TT \ Western Union \ più |
Spedizione da:: |
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\Più |
Imballaggio: |
Imballaggio del supporto |
MOQ: |
1pc |
Prezzo: |
pls contact us |
Port: |
Shenzhen |
IRFB4110PBF IC Nuovo transistor originale IRFB4110 Power MOSFET TO-220 IRFB4110PBF
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