Evidenziare:
tipo: |
MOSFET, chip per la produzione di ioni |
Temperatura di funzionamento: |
posizione di segnale minimo |
Tipo di montaggio: |
posizione di segnale minimo |
Descrizione: |
posizione di segnale minimo |
D/C: |
In-azione |
Tipo di pacchetto: |
In tutto il foro |
Applicazione: |
posizione di segnale minimo |
Tipo di fornitore: |
Altri |
Riferimento: |
posizione di segnale minimo |
Media disponibili: |
Altri |
Marchio: |
Componente elettronico |
Corrente - collettore (CI) (massimo): |
posizione di segnale minimo |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): |
posizione di segnale minimo |
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: |
posizione di segnale minimo |
Corrente - taglio del collettore (massimo): |
posizione di segnale minimo |
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce: |
posizione di segnale minimo |
Massimo elettrico: |
posizione di segnale minimo |
Frequenza - transizione: |
posizione di segnale minimo |
Confezione / Cassa: |
posizione di segnale minimo |
Resistenza - base (R1): |
posizione di segnale minimo |
Resistenza - emittenta-base (R2): |
posizione di segnale minimo |
Tipo del FET: |
posizione di segnale minimo |
Caratteristica del FET: |
posizione di segnale minimo |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss): |
posizione di segnale minimo |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C: |
posizione di segnale minimo |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: |
posizione di segnale minimo |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: |
posizione di segnale minimo |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: |
posizione di segnale minimo |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: |
posizione di segnale minimo |
Frequenza: |
posizione di segnale minimo |
Valutazione corrente (amp): |
posizione di segnale minimo |
Figura di rumore: |
posizione di segnale minimo |
Uscita elettrica: |
posizione di segnale minimo |
Tensione - stimata: |
posizione di segnale minimo |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): |
posizione di segnale minimo |
Vgs (massimo): |
posizione di segnale minimo |
Tipo di IGBT: |
posizione di segnale minimo |
Configurazione: |
posizione di segnale minimo |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: |
posizione di segnale minimo |
Capacità introdotta (Cies) @ Vce: |
posizione di segnale minimo |
Input: |
posizione di segnale minimo |
Termistore di NTC: |
posizione di segnale minimo |
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS): |
posizione di segnale minimo |
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
posizione di segnale minimo |
Scolo corrente (identificazione) - massima: |
posizione di segnale minimo |
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: |
posizione di segnale minimo |
Resistenza - RDS (sopra): |
posizione di segnale minimo |
Voltaggio: |
posizione di segnale minimo |
Tensione - uscita: |
posizione di segnale minimo |
Tensione - contrappeso (VT): |
posizione di segnale minimo |
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao): |
posizione di segnale minimo |
Corrente - valle (iv): |
posizione di segnale minimo |
Corrente - picco: |
posizione di segnale minimo |
Applicazioni: |
posizione di segnale minimo |
Tipo del transistor: |
transistor di potenza mrf150 rf |
Garanzia: |
365 giorni |
Fornitore: |
Shenzhen SeekEC Technology Co., Ltd. |
Stato senza piombo: |
Conformità Rohs |
Scheda: |
Disponibile |
Servizio di BOM: |
Disponibile |
Assemblea del PWB: |
Disponibile |
Programmazione di IC: |
Disponibile |
Imballaggio sotto vuoto: |
Disponibile |
Pagamento: |
Paypal, Assicurazione commerciale, Western Union, T/T, Carta di credito, MoneyGram |
tempo di consegna: |
entro 5 giorni |
Port: |
Shenzhen |
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